沃瑞SCU半导体材料零部件

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Voir SCU®臭氧化模组

方案描述

半导体和微电子制造业中臭氧水清洗正在逐步替代传统的化学清洗。臭氧水清洗工艺-该工艺洁净度更高、无须危化品后处理、在保证现有工艺效果情况下,更降低了成本、设备环境安全(避免强酸长期使用带来的腐蚀)。臭氧水强氧化性的特点不仅在晶圆清洗中可强力去除光刻胶并使金属单质氧化成可溶性离子,在去除有机物、颗粒的功能上可替代传统的SC-1(氨水/双氧水/水)、SC-2(盐酸/双氧水/水)、SPM(硫酸/双氧水)清洗工艺。


产品特点

  • 生成无气泡、超高纯度臭氧水最高浓度可达200ppm

  • 臭氧水的浓度和流量可以动态调节

  • 采用e-PTFE膜管拦截颗粒污染

  • 全氟结构高洁净度性能稳定

  • 进水压(WEP)>0.40MPa


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