半导体和微电子制造业中臭氧水清洗正在逐步替代传统的化学清洗。臭氧水清洗工艺-该工艺洁净度更高、无须危化品后处理、在保证现有工艺效果情况下，更降低了成本、设备环境安全(避免强酸长期使用带来的腐蚀)。臭氧水强氧化性的特点不仅在晶圆清洗中可强力去除光刻胶并使金属单质氧化成可溶性离子 ，在去除有机物、颗粒的功能上可替代传统的SC-1(氨水/双氧水/水)、SC-2(盐酸/双氧水/水)、SPM(硫酸/双氧水/水）。
| 有机物去除： | 表面有机残留 | → 无需加热，零化学残留 | → 有替代传统SPM清洗作用 |
| 金属污染去除： | Cu、Fe等金属离子 | → 配合稀酸使用 | → 有替代传统HPM清洗作用 |
| 光刻胶去除： | 残留胶质清洗 | → 使用高浓度臭氧水 | → 可替代传统化学清洗方式 |
| CMP后清洗： | 研磨残留颗粒去除 | → 去除效率高 | → 可替代UPW+超声方式 |
| 硅片制造： | 有机物/金属等去除 | → 全流程湿法清洗工艺可用 | → 可替代SPM、HPM |
| FPD面板： | 各类配套清洗 | → 半导体领域工艺清洗可用 | → 可替代传统化学清洗方式 |
| 长度（上下端面之间）： | 320mm | ||
| 直径： | Φ150mm | ||
| 膜材料： | Sinan® e-PTFE | ||
| 壳体材料： | PFA/PTFE | ||
| 最高臭氧水浓度： | 200PPM | ||
| 最大液压： | 0-0.35Mpa | ||
| 最大气压： | 0-0.25Mpa |
地址：浙江省杭州市萧山区知行路1666号圣奥科创园5号楼
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